海力士發(fā)展過程
時間:2022-02-14 19:00:01 | 來源:信息時代
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2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元,此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,并爭取提升至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。
2013年09月4日下午3:30左右,無錫Hynix廠房起火,原因未知。
2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix,更名SKhynix。
2009年05月成立中國無錫市后續(xù)工程合作社
04月世界最先開發(fā)低耗電-高速(LowPower-HighSpeed)Mobile1GbDDR2DRAM
03月世界最先發(fā)表8GB2-RankDDR3R-DIMM產(chǎn)品認證
02月世界最先開發(fā)44nmDDR3DRAM
01月世界最先獲得關于以伺服器4GBECCUDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產(chǎn)品認證。
2008年12月世界最先開發(fā)2GbMobileDRAM
11月引進業(yè)界最高速7Gbps、1GbGDDR5GraphicsDRAM
08月清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm技術的16GB2-RankR-DIMM
為引進嶄新而創(chuàng)新性NAND閃存存儲器產(chǎn)品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大
05月與ProMOS公司簽署關于加強長期戰(zhàn)略性合作的修改案
04月為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發(fā)出世界最高速MobileLPDDR2
02月引進2-Rank8GBDDR2RDIMM
01月簽署關于在對下一代不揮發(fā)性存儲器技術的共同RD程序上進行合作的合同
2008年發(fā)表00MHz、1GB/2GBUDIMM產(chǎn)品認證
2007年12月成功發(fā)行國際可兌換券(globalconvertiblenotes)
11月WTO做出判決海力士進口芯片相關報復性關稅一案,日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業(yè)合作協(xié)議,獲得對1GbDDR2DRAM的英特爾產(chǎn)品認證,業(yè)界最先開發(fā)1GbGDDR5DRAM
10月與Ovonyx公司簽署關于PRAM的技術及許可證合同與環(huán)境運動聯(lián)合(韓國)簽署關于在環(huán)境管理上進行合作的合同
09月以24層疊芯片(stackedchips),世界最先開發(fā)NAND閃存MCP
08月開發(fā)出業(yè)界最高速、最小型1GbMobileDRAM
07月發(fā)表企業(yè)中長期總體規(guī)劃
05月業(yè)界最先獲得關于DDR3DRAM的英特爾產(chǎn)品認證
04月DOCH3開始大量生產(chǎn)在韓國清州300mm設施開工實現(xiàn)最高水平的營業(yè)利潤率
03月開發(fā)出世界最高速ECCMobileDRAM發(fā)表'生態(tài)標記(ECOMark)'與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協(xié)議及簽署關于對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鐘甲就任新任代表理事、社長
01月開發(fā)出以'晶圓級封裝(WaferLevelPackage)'技術為基礎的超高速存儲器模塊
2006年創(chuàng)下最高業(yè)績及利潤
2006年12月業(yè)界最先發(fā)表60nm1GbDDR2800MHz基礎模塊,開發(fā)出世界最高速200MHz512MbMobileDRAM
10月創(chuàng)下創(chuàng)立以來最高業(yè)績,通過海力士ST半導體(株)的竣工,構建國際性生產(chǎn)網(wǎng)絡
09月300mm研究生產(chǎn)線下線
03月業(yè)界最先獲得英特爾對80nm512MbDDR2DRAM的產(chǎn)品認證
01月發(fā)表與M-Systems公司的DOCH3共同開發(fā)計劃(閃存驅動器內(nèi)置的新型DiskOnChip)
2005年12月世界最先開發(fā)512MbGDDR4、業(yè)界最高速度及最高密度GraphicsDRAM
11月業(yè)界最先推出JEDEC標準8GBDDR2R-DIMM
07月提前從企業(yè)重組完善協(xié)議中抽身而出
04月海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
03月發(fā)布2004年財務報表,實現(xiàn)高銷售利潤
01月與臺灣茂德科技簽訂戰(zhàn)略性合作伙伴協(xié)議
2004年11月與意法半導體公司(STMicroelectronics)簽訂關于在中國合資建廠的協(xié)議
08月與中國江蘇省無錫市簽訂關于在中國建廠合作協(xié)議
07月獲得公司成立以來最大的季度營業(yè)利潤
06月簽訂非內(nèi)存事業(yè)營業(yè)權轉讓協(xié)議
03月行業(yè)首次開發(fā)超高速DDRSDRAM550MHz1GDDR2SDRAM獲得Intel的認證
02月成功開發(fā)NAND閃存
2003年12月宣布與PromMOS簽署長期的戰(zhàn)略性MOU
08月宣布發(fā)表在DRAM行業(yè)的第一個1GbDDR2問世。
07月宣布在世界上首次發(fā)表DDR500
06月512MDDR400產(chǎn)品在DRAM業(yè)內(nèi)首次獲得因特爾的認證
05月采用0.10微米工藝技術投入生產(chǎn),超低功率256MbSDRAM投入批量生產(chǎn)
04月宣布與STMicroelectronics公司簽定協(xié)議合作生產(chǎn)NAND閃存
03月發(fā)表世界上第一個商用級的mega-levelFeRAM
2002年11月出售HYDIS,TFT-LCD業(yè)務部門
10月開發(fā)0.10微米、512MBDDR
08月在世界上首次開發(fā)高密度大寬帶256MB的DDRSDRAM
06月在世界上首次將256MB的SDRSDRAM運用于高終端客戶
03月開發(fā)1GDDRDRAM模塊
2001年08月開發(fā)世界上速度最快的128MBDDRSDRAM
08月完成與現(xiàn)代集團的最終分離
07月剝離CDMA移動通信設備制造業(yè)務‘HyundaiSyscomm'
05月剝離通信服務業(yè)務'HyundaiCuriTel'
剝離網(wǎng)絡業(yè)務'HyundaiNetworks'
03月公司更名為'Hynix半導體有限公司'
2000年08月剝離顯示屏銷售業(yè)務'HyundaiImageQuest'
04月剝離電子線路設計業(yè)務'HyundaiAutonet'
1999年10月合并LG半導體有限公司,成立現(xiàn)代半導體株式會社
03月出售專業(yè)的半導體組裝公司(ChipPAC)
1998年09月開發(fā)64M的DDRSDRAM
1997年05月在世界上首次開發(fā)1GSDRAM
1996年12月公司股票上市
1989年11月完成FABIII
09月開發(fā)4M的DRAM
1988年11月在歐洲當?shù)卦O立公司(HEE)
01月開發(fā)1M的DRAM
1986年06月舉行第一次員工文化展覽會'AmiCarnical'
04月設立半導體研究院
1985年10月開始批量生產(chǎn)256K的DRAM
1984年09月完成FABII-A
1983年02月創(chuàng)立現(xiàn)代電子株式會社,公司概要展望商業(yè)領域主要歷程可持續(xù)經(jīng)營,持續(xù)經(jīng)營報告書倫理經(jīng)營,倫理經(jīng)營宣言倫理綱領組織介紹實踐體系產(chǎn)業(yè)保安方針在線舉報公司標志