2013年09月4日下午3:30左右,無錫Hynix廠房起火,原因未知。

2012年02月韓國" />

国产成人精品无码青草_亚洲国产美女精品久久久久∴_欧美人与鲁交大毛片免费_国产果冻豆传媒麻婆精东

15158846557 在線咨詢 在線咨詢
15158846557 在線咨詢
所在位置: 首頁 > 營銷資訊 > 信息時代 > 海力士發(fā)展過程

海力士發(fā)展過程

時間:2022-02-14 19:00:01 | 來源:信息時代

時間:2022-02-14 19:00:01 來源:信息時代

2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元,此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,并爭取提升至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。

2013年09月4日下午3:30左右,無錫Hynix廠房起火,原因未知。

2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix,更名SKhynix。

2009年05月成立中國無錫市后續(xù)工程合作社

04月世界最先開發(fā)低耗電-高速(LowPower-HighSpeed)Mobile1GbDDR2DRAM

03月世界最先發(fā)表8GB2-RankDDR3R-DIMM產(chǎn)品認證

02月世界最先開發(fā)44nmDDR3DRAM

01月世界最先獲得關于以伺服器4GBECCUDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產(chǎn)品認證。

2008年12月世界最先開發(fā)2GbMobileDRAM

11月引進業(yè)界最高速7Gbps、1GbGDDR5GraphicsDRAM

08月清州第三工廠的300mm組裝廠竣工

世界最先推出使用MetaRAMtm技術的16GB2-RankR-DIMM

為引進嶄新而創(chuàng)新性NAND閃存存儲器產(chǎn)品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大

05月與ProMOS公司簽署關于加強長期戰(zhàn)略性合作的修改案

04月為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發(fā)出世界最高速MobileLPDDR2

02月引進2-Rank8GBDDR2RDIMM

01月簽署關于在對下一代不揮發(fā)性存儲器技術的共同RD程序上進行合作的合同

2008年發(fā)表00MHz、1GB/2GBUDIMM產(chǎn)品認證

2007年12月成功發(fā)行國際可兌換券(globalconvertiblenotes)

11月WTO做出判決海力士進口芯片相關報復性關稅一案,日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業(yè)合作協(xié)議,獲得對1GbDDR2DRAM的英特爾產(chǎn)品認證,業(yè)界最先開發(fā)1GbGDDR5DRAM

10月與Ovonyx公司簽署關于PRAM的技術及許可證合同與環(huán)境運動聯(lián)合(韓國)簽署關于在環(huán)境管理上進行合作的合同

09月以24層疊芯片(stackedchips),世界最先開發(fā)NAND閃存MCP

08月開發(fā)出業(yè)界最高速、最小型1GbMobileDRAM

07月發(fā)表企業(yè)中長期總體規(guī)劃

05月業(yè)界最先獲得關于DDR3DRAM的英特爾產(chǎn)品認證

04月DOCH3開始大量生產(chǎn)在韓國清州300mm設施開工實現(xiàn)最高水平的營業(yè)利潤率

03月開發(fā)出世界最高速ECCMobileDRAM發(fā)表'生態(tài)標記(ECOMark)'與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同

與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協(xié)議及簽署關于對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鐘甲就任新任代表理事、社長

01月開發(fā)出以'晶圓級封裝(WaferLevelPackage)'技術為基礎的超高速存儲器模塊

2006年創(chuàng)下最高業(yè)績及利潤

2006年12月業(yè)界最先發(fā)表60nm1GbDDR2800MHz基礎模塊,開發(fā)出世界最高速200MHz512MbMobileDRAM

10月創(chuàng)下創(chuàng)立以來最高業(yè)績,通過海力士ST半導體(株)的竣工,構建國際性生產(chǎn)網(wǎng)絡

09月300mm研究生產(chǎn)線下線

03月業(yè)界最先獲得英特爾對80nm512MbDDR2DRAM的產(chǎn)品認證

01月發(fā)表與M-Systems公司的DOCH3共同開發(fā)計劃(閃存驅動器內(nèi)置的新型DiskOnChip)

2005年12月世界最先開發(fā)512MbGDDR4、業(yè)界最高速度及最高密度GraphicsDRAM

11月業(yè)界最先推出JEDEC標準8GBDDR2R-DIMM

07月提前從企業(yè)重組完善協(xié)議中抽身而出

04月海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮

03月發(fā)布2004年財務報表,實現(xiàn)高銷售利潤

01月與臺灣茂德科技簽訂戰(zhàn)略性合作伙伴協(xié)議

2004年11月與意法半導體公司(STMicroelectronics)簽訂關于在中國合資建廠的協(xié)議

08月與中國江蘇省無錫市簽訂關于在中國建廠合作協(xié)議

07月獲得公司成立以來最大的季度營業(yè)利潤

06月簽訂非內(nèi)存事業(yè)營業(yè)權轉讓協(xié)議

03月行業(yè)首次開發(fā)超高速DDRSDRAM550MHz1GDDR2SDRAM獲得Intel的認證

02月成功開發(fā)NAND閃存

2003年12月宣布與PromMOS簽署長期的戰(zhàn)略性MOU

08月宣布發(fā)表在DRAM行業(yè)的第一個1GbDDR2問世。

07月宣布在世界上首次發(fā)表DDR500

06月512MDDR400產(chǎn)品在DRAM業(yè)內(nèi)首次獲得因特爾的認證

05月采用0.10微米工藝技術投入生產(chǎn),超低功率256MbSDRAM投入批量生產(chǎn)

04月宣布與STMicroelectronics公司簽定協(xié)議合作生產(chǎn)NAND閃存

03月發(fā)表世界上第一個商用級的mega-levelFeRAM

2002年11月出售HYDIS,TFT-LCD業(yè)務部門

10月開發(fā)0.10微米、512MBDDR

08月在世界上首次開發(fā)高密度大寬帶256MB的DDRSDRAM

06月在世界上首次將256MB的SDRSDRAM運用于高終端客戶

03月開發(fā)1GDDRDRAM模塊

2001年08月開發(fā)世界上速度最快的128MBDDRSDRAM

08月完成與現(xiàn)代集團的最終分離

07月剝離CDMA移動通信設備制造業(yè)務‘HyundaiSyscomm'

05月剝離通信服務業(yè)務'HyundaiCuriTel'

剝離網(wǎng)絡業(yè)務'HyundaiNetworks'

03月公司更名為'Hynix半導體有限公司'

2000年08月剝離顯示屏銷售業(yè)務'HyundaiImageQuest'

04月剝離電子線路設計業(yè)務'HyundaiAutonet'

1999年10月合并LG半導體有限公司,成立現(xiàn)代半導體株式會社

03月出售專業(yè)的半導體組裝公司(ChipPAC)

1998年09月開發(fā)64M的DDRSDRAM

1997年05月在世界上首次開發(fā)1GSDRAM

1996年12月公司股票上市

1989年11月完成FABIII

09月開發(fā)4M的DRAM

1988年11月在歐洲當?shù)卦O立公司(HEE)

01月開發(fā)1M的DRAM

1986年06月舉行第一次員工文化展覽會'AmiCarnical'

04月設立半導體研究院

1985年10月開始批量生產(chǎn)256K的DRAM

1984年09月完成FABII-A

1983年02月創(chuàng)立現(xiàn)代電子株式會社,公司概要展望商業(yè)領域主要歷程可持續(xù)經(jīng)營,持續(xù)經(jīng)營報告書倫理經(jīng)營,倫理經(jīng)營宣言倫理綱領組織介紹實踐體系產(chǎn)業(yè)保安方針在線舉報公司標志

關鍵詞:過程,發(fā)展

74
73
25
news

版權所有? 億企邦 1997-2025 保留一切法律許可權利。

為了最佳展示效果,本站不支持IE9及以下版本的瀏覽器,建議您使用谷歌Chrome瀏覽器。 點擊下載Chrome瀏覽器
關閉