技術(shù)演講與交流展示實力
時間：2022-03-15 12:18:01 | 來源：行業(yè)動態(tài)
時間：2022-03-15 12:18:01 來源：行業(yè)動態(tài)
在本次展會中，紫光存儲先后參加了三場技術(shù)交流，充分向國際專家、客戶與合作伙伴展現(xiàn)了紫光存儲在過去一段時間內(nèi)，在閃存領(lǐng)域的研發(fā)成果。
在China Session上，紫光存儲做了關(guān)于《NAND結(jié)構(gòu)對控制器架構(gòu)的影響》的技術(shù)交流。主要介紹了NAND cell的信道模型特性，以及由此引入噪聲補償降低cell電壓判決的錯誤率。根據(jù)當(dāng)前NAND不同的PE count，對應(yīng)地選取不同的page存儲有效數(shù)據(jù)，從而延長NAND的使用壽命。這些從NAND本身的特性引入的使用方式對控制器的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了相應(yīng)的影響。
在NVMe Session上，紫光存儲做了關(guān)于《多盤聚合擴展NVMe性能》的演講，詳細描述了MDF控制器在RAID 5使用上帶來的好處。
在Flash Controller Session上，紫光存儲做了關(guān)于《可編程Flash仿真系統(tǒng)》的演講，描述了紫光DERA自主設(shè)計的可編程的仿真系統(tǒng)，該系統(tǒng)用于控制器功能驗證及分析，大大簡化了驗證的難度。
通過上述的三場交流，也是紫光存儲首次在國際的峰會上與業(yè)內(nèi)人士的深入交流，加強了業(yè)內(nèi)同行對紫光存儲的了解，加深了紫光存儲對存儲行業(yè)的影響力。
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