OptiNAND 技術(shù)不是HDD和SSD簡單的結(jié)合，而是1 1遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于2的能力

時(shí)間：2022-03-16 12:39:01 | 來源：行業(yè)動(dòng)態(tài)

時(shí)間：2022-03-16 12:39:01 來源：行業(yè)動(dòng)態(tài)

車曉東博士在采訪中多次強(qiáng)調(diào)，OptiNAND 技術(shù)并非一種混合存儲(chǔ)技術(shù)，而是一種重塑的磁盤架構(gòu)設(shè)計(jì)將西部數(shù)據(jù)的兩種基礎(chǔ)技術(shù)完美結(jié)合，推出一種創(chuàng)新且具備成長性的解決方案，為未來提升容量、 性能和可靠性奠定基礎(chǔ)。在以前的混合硬盤中，如果你存的數(shù)據(jù)在機(jī)械硬盤上，你就發(fā)現(xiàn)你的存儲(chǔ)容量、性能等各方面跟以前的機(jī)械硬盤一模一樣。而OptiNAND技術(shù)中iNAND的功能和容量不是給用戶用的，是給硬盤內(nèi)部用的。所有的用戶數(shù)據(jù)都在磁碟上，而且在磁碟上的用戶數(shù)據(jù)，整體都會(huì)享有性能和可靠性上的優(yōu)勢，整個(gè)硬盤的容量也會(huì)增加。 車曉東博士這樣解釋OptiNAND技術(shù)。

從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，采用了OptiNAND 技術(shù)的閃存增強(qiáng)型硬盤包含了兩個(gè)部分，分別是iNAND UFS（Universal Flash Storage，通用閃存存儲(chǔ)）EFD（Embedded Flash Device，嵌入式閃存盤）與旋轉(zhuǎn)型磁碟介質(zhì)。但是OptiNAND 技術(shù)的靈魂是算法和 SoC（System-on-a-Chip，單芯片系統(tǒng)）。通過對固件算法和 SoC進(jìn)行革新實(shí)現(xiàn)了iNAND的設(shè)計(jì)和（硬盤）SoC更好的適配。

全新推出的OptiNAND技術(shù)，集成了iNAND存儲(chǔ)，允許iNAND更好地支持SoC，讓SoC的設(shè)計(jì)更加有效，并加強(qiáng)了SoC的算法。OptiNAND技術(shù)匯聚了兩種記錄方式的優(yōu)勢，HDD與iNAND的集成實(shí)現(xiàn)了較以前的混合硬盤（Hybrid drive）所不能夠?qū)崿F(xiàn)的結(jié)果?？傮w來說，1 1在這個(gè)情況下遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于2，具體體現(xiàn)三個(gè)方面的優(yōu)勢：第一，可以把ePMR硬盤的容量做得更大；第二，硬盤性能會(huì)增強(qiáng)；第三，也是非常重要的一點(diǎn)，硬盤的可靠性會(huì)相應(yīng)增加。

車曉東進(jìn)一步解釋到。







具體來說：

第一、容量提升的優(yōu)勢。首先，iNAND可以幫助增加磁道數(shù)量，即磁道密度（TPI），讓我們在一個(gè)磁碟上存儲(chǔ)更多的用戶數(shù)據(jù)。而且，硬盤中許多本來需要放在磁碟上的元數(shù)據(jù)（metadata）現(xiàn)在可以放在iNAND上，讓磁碟有更多空間服務(wù)用戶。最后，iNAND的高效率大大增強(qiáng)了SoC的運(yùn)算功能，讓我們可以利用疊瓦式磁記錄為用戶提供更大的儲(chǔ)存容量。iNAND對硬盤容量的提升可以概括為以上三個(gè)原因。

第二、性能增強(qiáng)的優(yōu)勢。在硬盤的使用當(dāng)中需要記錄一些操作的過程，比如針對相鄰磁道的干擾，目前硬盤的操作方式是把這些干擾數(shù)據(jù)記錄在磁碟的表面上，有了iNAND以后，這些操作和記錄都會(huì)由iNAND來支持，這樣磁碟可以把所有的注意力用在用戶的數(shù)據(jù)上。另外，在寫和存的時(shí)候，我們把很多磁碟上元數(shù)據(jù)的操作放在iNAND上，可以節(jié)約很多原本用來將硬盤工作數(shù)據(jù)寫在磁道上的時(shí)間，用在服務(wù)用戶的儲(chǔ)存需求上。因?yàn)檫@些優(yōu)勢，以后硬盤的性能將會(huì)大大提高。

第三、可靠性增加的優(yōu)勢。閃存增強(qiáng)型硬盤拓展了西部數(shù)據(jù)的發(fā)展路徑，OptiNAND技術(shù)帶來了更高的可靠性，現(xiàn)在的硬盤在緊急斷電時(shí)，需要用磁碟能量把DRAM數(shù)據(jù)安全儲(chǔ)存好，因?yàn)檫@個(gè)過程依靠的是磁碟（旋轉(zhuǎn)）里的動(dòng)能，所以能夠儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是有限的。OptiNAND技術(shù)在（緊急斷電）的情況下，相較于DRAM，可安全地刷寫并保留近50倍的客戶數(shù)據(jù)， 因?yàn)閕NAND是非易失性的（non volatile），所以在有iNAND的情況下，斷電以后很多數(shù)據(jù)都可以記錄在iNAND里，我們可以省去很多操作，讓硬盤的可靠性相比以前有了更大的提高。







目前配備全新磁盤架構(gòu)設(shè)計(jì)的首批產(chǎn)品借助西部數(shù)據(jù)業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的三階尋軌定位系統(tǒng)（TSA）和HelioSeal技術(shù)等領(lǐng)先技術(shù)，采用可靠的ePMR技術(shù)擴(kuò)展容量，單碟容量已經(jīng)高達(dá)2.2TB。目前，西部數(shù)據(jù)已向部分客戶提供采用OptiNAND技術(shù)的新款九磁碟、20TB ePMR閃存增強(qiáng)型硬盤樣品。