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Tower Semiconductor的成熟節(jié)點(diǎn)

時(shí)間：2022-04-10 08:09:01 | 來源：行業(yè)動(dòng)態(tài)

時(shí)間：2022-04-10 08:09:01 來源：行業(yè)動(dòng)態(tài)

Tower Semiconductor不需要像英特爾那樣使用的領(lǐng)先或前沿的節(jié)點(diǎn)。2021年第三季度，Tower Semiconductor對(duì)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了細(xì)分：



如圖所示，這些節(jié)點(diǎn)與英特爾所追求的目標(biāo)大相徑庭，英特爾致力于像Intel 10nm、7、4、3和20A這樣的領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)。這里說的是越來越小的數(shù)量級(jí)，更不用說與RibbonFET和PowerVia等晶體管技術(shù)以及多圖形EUV技術(shù)的精密差異了。

關(guān)鍵詞：成熟

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