英特爾公布665P：一款消費級QLC閃存驅(qū)動器
時間：2022-04-21 03:48:01 | 來源：行業(yè)動態(tài)
時間：2022-04-21 03:48:01 來源：行業(yè)動態(tài)
英特爾公司還在本次內(nèi)存與存儲日活動中公布了665P，一款速度超越原有660P產(chǎn)品的四級單元NAND閃存驅(qū)動器。
之前的660P為M.2式驅(qū)動器，采用PCIe 3.0 x4接口與NVMe v1.3接口。其支持每天0.1次全盤寫入（DWPDF）并提供五年質(zhì)保周期。該驅(qū)動器采用SLC寫入緩存并內(nèi)置256 MB DRAM。另外，它的隨機讀取/寫入IOPS分別為22萬/22萬，連續(xù)讀取與寫入帶寬則為1800 MB每秒。
以下是這款產(chǎn)品的實際外觀：
再來看此次新發(fā)布的665P，二者看起來非常相似：
英特爾方面也展示了660P與665P兩款產(chǎn)品在CrystalDiskMark v7基準(zhǔn)測試中的性能差異，測試皆采用兩款產(chǎn)品的1 TB版本。
測試結(jié)果匯總?cè)缦拢?br>
660P連續(xù)讀取/寫入速率每秒1229/1333 MB
665P連續(xù)讀取/寫入速率每秒1817/1888 MB
660P隨機讀取/寫入IOPS13137/37105
665P隨機讀取/寫入IOPS17279/47608
其中660P采用64層NAND，而665P采用96層結(jié)構(gòu)。英特爾公司非易失性內(nèi)存解決方案部門戰(zhàn)略規(guī)劃與市場營銷負(fù)責(zé)人Dave Lundell指出，新一代采用的存儲介質(zhì)更先進，ASIC與固件也得到了提升。
665P計劃于今年第四季度上市，目前具體價格尚未公布。
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