NAND基本操作

時(shí)間：2022-02-21 01:06:01 | 來源：信息時(shí)代

時(shí)間：2022-02-21 01:06:01 來源：信息時(shí)代

每一個(gè)頁(yè)均包含一個(gè)2048字節(jié)的數(shù)據(jù)區(qū)和64字節(jié)的空閑區(qū)，總共包含2,112字節(jié)?？臻e區(qū)通常被用于ECC、耗損均衡(wearleveling)和其它軟件開銷功能，盡管它在物理上與其它頁(yè)并沒有區(qū)別。NAND器件具有8或16位接口。通過8或16位寬的雙向數(shù)據(jù)總線，主數(shù)據(jù)被連接到NAND存儲(chǔ)器。在16位模式，指令和地址僅僅利用低8位，而高8位僅僅在數(shù)據(jù)傳輸周期使用。

擦除區(qū)塊所需時(shí)間約為2ms。一旦數(shù)據(jù)被載入寄存器，對(duì)一個(gè)頁(yè)的編程大約要300μs。讀一個(gè)頁(yè)面需要大約25μs，其中涉及到存儲(chǔ)陣列訪問頁(yè)，并將頁(yè)載入16,896位寄存器中。

除了I/O總線，NAND接口由6個(gè)主要控制信號(hào)構(gòu)成：

1.芯片啟動(dòng)(ChipEnable,CE#)：如果沒有檢測(cè)到CE信號(hào)，那么，NAND器件就保持待機(jī)模式，不對(duì)任何控制信號(hào)作出響應(yīng)。

2.寫使能(WriteEnable,WE#):WE#負(fù)責(zé)將數(shù)據(jù)、地址或指令寫入NAND之中。

3.讀使能(ReadEnable,RE#):RE#允許輸出數(shù)據(jù)緩沖器。

4.指令鎖存使能(CommandLatchEnable,CLE):當(dāng)CLE為高時(shí)，在WE#信號(hào)的上升沿，指令被鎖存到NAND指令寄存器中。

5.地址鎖存使能(AddressLatchEnable,ALE)：當(dāng)ALE為高時(shí)，在WE#信號(hào)的上升沿，地址被鎖存到NAND地址寄存器中。

6.就緒/忙(Ready/Busy,R/B#)：如果NAND器件忙，R/B#信號(hào)將變低。該信號(hào)是漏極開路，需要采用上拉電阻。

數(shù)據(jù)每次進(jìn)/出NAND寄存器都是通過16位或8位接口。當(dāng)進(jìn)行編程操作的時(shí)候，待編程的數(shù)據(jù)進(jìn)入數(shù)據(jù)寄存器，處于在WE#信號(hào)的上升沿。在寄存器內(nèi)隨機(jī)存取或移動(dòng)數(shù)據(jù)，要采用專用指令以便于隨機(jī)存取。

數(shù)據(jù)寄存器輸出數(shù)據(jù)的方式與利用RE#信號(hào)的方式類似，負(fù)責(zé)輸出現(xiàn)有的數(shù)據(jù)，并增加到下一個(gè)地址。WE#和RE#時(shí)鐘運(yùn)行速度極快，達(dá)到30ns的水準(zhǔn)。當(dāng)RE#或CE#不為低的時(shí)候，輸出緩沖器將為三態(tài)。這種CE#和RE#的組合使能輸出緩沖器，容許NAND閃存與NOR、SRAM或DRAM等其它類型存儲(chǔ)器共享數(shù)據(jù)總線。該功能有時(shí)被稱為'無需介意芯片啟動(dòng)(chipenabledon'tcare)'。這種方案的初衷是適應(yīng)較老的NAND器件，它們要求CE#在整個(gè)周期為低(譯注：根據(jù)上下文改寫)。

輸入寄存器接收到頁(yè)編程(80h)指令時(shí)，內(nèi)部就會(huì)全部重置為1s，使得用戶可以只輸入他想以0位編程的數(shù)據(jù)字節(jié)

帶有隨機(jī)數(shù)據(jù)輸入的編程指令。該指令只需要后面跟隨著數(shù)據(jù)的2個(gè)字節(jié)的地址

所有NAND操作開始時(shí)，都提供一個(gè)指令周期

當(dāng)輸出一串WE#時(shí)鐘時(shí)，通過在I/O位7：0上設(shè)置指令、驅(qū)動(dòng)CE#變低且CLE變高，就可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)指令周期。注意：在WE#信號(hào)的上升沿上，指令、地址或數(shù)據(jù)被鎖存到NAND器件之中。如表1所示，大多數(shù)指令在第二個(gè)指令周期之后要占用若干地址周期。注意：復(fù)位或讀狀態(tài)指令例外，如果器件忙，就不應(yīng)該發(fā)送新的指令。

注意：因?yàn)樽詈笠涣械奈恢檬?112，該最后位置的地址就是08h(在第二字節(jié)中)和3Fh(在第一字節(jié)中)。PA5:0指定區(qū)塊內(nèi)的頁(yè)地址，BA16:6指定區(qū)塊的地址。雖然大多編程和讀操作需要完整的5字節(jié)地址，在頁(yè)內(nèi)隨機(jī)存取數(shù)據(jù)的操作僅僅用到第一和第二字節(jié)。塊擦除操作僅僅需要三個(gè)最高字節(jié)(第三、第四和第五字節(jié))來選擇區(qū)塊。

總體而言，NAND的基本操作包括：復(fù)位(Reset,FFh)操作、讀ID(ReadID,00h)操作、讀狀態(tài)(ReadStatus,70h)操作、編程(Program)操作、隨機(jī)數(shù)據(jù)輸入(Randomdatainput,85h)操作和讀(Read)操作等。