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NAND三維NAND閃存芯片

時(shí)間:2022-02-21 01:10:02 | 來源:信息時(shí)代

時(shí)間:2022-02-21 01:10:02 來源:信息時(shí)代

2018年4月22日下午,國內(nèi)自主研發(fā)的32層三維NAND閃存芯片在首屆數(shù)字中國建設(shè)成果展覽會(huì)上亮相。該芯片是國家存儲(chǔ)器基地的核心項(xiàng)目。目前,芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)已于4月11日正式進(jìn)場安裝,有望于年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

資料顯示,國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè),總投資額為240億美元,位于武漢東湖高新區(qū)?;貙⒔ㄔO(shè)3座三維NANDFlash生產(chǎn)廠房。目前,項(xiàng)目一期已建成,首批32層三維NAND閃存芯片將于年底前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。業(yè)內(nèi)人士分析,該芯片將填補(bǔ)我國主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。

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