時間：2024-01-21 14:10:01 | 來源：信息時代
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非晶態(tài)半導體存儲器：利用外界條件如電、熱、壓力、光等，使非晶態(tài)薄膜的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，用以記錄和存儲信息的器件。主要有電存儲器和光存儲器兩大類，前者利用非晶態(tài)半導體在電學性質(zhì)上存在的雙穩(wěn)態(tài)特性質(zhì)，即利用不同的電脈沖信號使其保持高阻狀態(tài)（關(guān)態(tài)）和低阻狀態(tài)（開態(tài)）工作。后者利用光輻照使非晶態(tài)半導體中的光斑處發(fā)生結(jié)構(gòu)變化（一般為非晶態(tài)與晶態(tài)之間的變化），以記錄光信息。它具有光的雙穩(wěn)態(tài)性質(zhì)。非晶態(tài)半導體存儲器具有信息可長期保持而無功耗，抗高能粒子輻照等特點，可用作高密度，高信噪比的信息記錄介質(zhì)，例如光盤等。關(guān)鍵詞：
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