時(shí)間：2024-01-21 16:30:01 | 來(lái)源：信息時(shí)代
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非晶態(tài)半導(dǎo)體器件：以非晶態(tài)半導(dǎo)體材料為主體制成的固態(tài)電子器件。非晶態(tài)半導(dǎo)體雖然在整體上分子排列無(wú)序，但是仍具有單晶體的微觀結(jié)構(gòu)，因此具有許多特殊的性質(zhì)。1975年，英國(guó)W.G.斯皮爾在輝光放電分解硅烷法制備的非晶硅薄膜中摻雜成功，使非晶硅薄膜的電阻率變化10個(gè)數(shù)量級(jí)，促進(jìn)非晶態(tài)半導(dǎo)體器件的開發(fā)和應(yīng)用。同單晶材料相比，非晶態(tài)半導(dǎo)體材料制備工藝簡(jiǎn)單，對(duì)襯底結(jié)構(gòu)無(wú)特殊要求，易于大面積生長(zhǎng)，摻雜后電阻率變化大，可以制成多種器件。非晶硅太陽(yáng)能電池吸收系數(shù)大，轉(zhuǎn)換效率高，面積大，已應(yīng)用到計(jì)算器、電子表等商品中。非晶硅薄膜場(chǎng)效應(yīng)管陣列可用作大面積液晶平面顯示屏的尋址開關(guān)。利用某些硫系非晶態(tài)半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變來(lái)記錄和存儲(chǔ)光電信息的器件已應(yīng)用于計(jì)算機(jī)或控制系統(tǒng)中。利用非晶態(tài)薄膜的電荷存儲(chǔ)和光電導(dǎo)特性可制成用于靜態(tài)圖像光電轉(zhuǎn)換的靜電復(fù)印機(jī)感光體和用于動(dòng)態(tài)圖像光電轉(zhuǎn)換的電視攝像管的靶面。關(guān)鍵詞：
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