時間:2022-03-24 02:24:01 | 來源:行業(yè)動態(tài)
時間:2022-03-24 02:24:01 來源:行業(yè)動態(tài)
美光有史以來首次實(shí)現(xiàn)在 DRAM 和 NAND 兩大技術(shù)領(lǐng)域同時占據(jù)領(lǐng)先地位。美光 1 DRAM 技術(shù)將內(nèi)存密度提升 40%,可為移動行業(yè)提供最低功耗的 DRAM 平臺,實(shí)現(xiàn)了 15% 的節(jié)能[1]。美光 176 層 3D NAND 閃存將數(shù)據(jù)讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上,并將數(shù)據(jù)傳輸速率提升 33%[2]。兩項(xiàng)技術(shù)合璧,為構(gòu)建更新穎、更高效的設(shè)備體驗(yàn)和創(chuàng)新基礎(chǔ)架構(gòu)奠定了數(shù)據(jù)基礎(chǔ),適用于數(shù)據(jù)中心和智能邊緣等各類應(yīng)用場景。關(guān)鍵詞:技術(shù),領(lǐng)導(dǎo),增強(qiáng)
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