時間：2022-03-31 20:57:01 | 來源：行業(yè)動態(tài)
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在電力電子系統(tǒng)中，高效的電能轉(zhuǎn)換主要是通過電力電子開關(guān)或整流器件來完成，這些器件性能將直接影響到整個系統(tǒng)的性能，同時也對電力電子器件提出了更高的性能要求。硅(Si)基功率器件經(jīng)過近60年的發(fā)展，其性能基本上己經(jīng)達到理論極限，性能難以再大幅度提高，尋找新一代的半導體材料，成為了電力電子發(fā)展的一個重要方向。近年來，氮化鎵(GaN)作為一個高頻詞匯走進了人們的視野。GaN與碳化硅(SiC)同屬第三代半導體材料，與第一代半導體材料硅和第二代半導體材料砷化鎵(GaAs)相比，其在物理特性上優(yōu)勢顯著，具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強等優(yōu)點，可廣泛應用于新能源汽車、新一代移動通信、消費類電子等領(lǐng)域。關(guān)鍵詞：半導體,投資
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