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二級DRAM Flash 緩存加速

時間:2022-04-02 01:51:01 | 來源:行業(yè)動態(tài)

時間:2022-04-02 01:51:01 來源:行業(yè)動態(tài)

磁盤陣列中常見的性能加速手段是共享緩存加速,中高端磁盤陣列與低端磁盤陣列的在性能方面的一個重大區(qū)別,除了控制器個數(shù),就是緩存加速的能力。典型的中高端磁盤陣列能支持的共享緩存加速在512GB到1TB上下。鐵力士借鑒了磁盤陣列的設(shè)計(jì),通過SVM虛擬化實(shí)現(xiàn)DRAM與Flash相結(jié)合的二級緩存加速:通過自適應(yīng)算法,自動識別動態(tài)或靜態(tài)熱數(shù)據(jù)(高頻率讀寫或最近讀寫數(shù)據(jù)),將最熱的數(shù)據(jù)保存在延遲最小的DRAM中,而將次熱的數(shù)據(jù)保存在更大容量、基于Flash的固態(tài)硬盤上;并由于分布式技術(shù)的加持,形成一個容量巨大的分布式二級緩存系統(tǒng)。與中高端磁盤陣列相比較,鐵力士分布式存儲系統(tǒng)支持?jǐn)?shù)10TB、甚至100TB以上的分布式緩存,相當(dāng)于其10倍、甚至100倍的緩存容量。

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