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02QLC將成為數(shù)據(jù)中心主流，寫(xiě)入帶寬的限制成為攔路虎

時(shí)間：2022-04-05 01:51:01 | 來(lái)源：行業(yè)動(dòng)態(tài)

時(shí)間：2022-04-05 01:51:01 來(lái)源：行業(yè)動(dòng)態(tài)

眾所周知，HDD因其廉價(jià)的成本和較為穩(wěn)定存儲(chǔ)性能，成為了當(dāng)下大部分?jǐn)?shù)據(jù)中心首選存儲(chǔ)介質(zhì)（終端），然而隨著閃存技術(shù)在X/Y/Z，也就是3D方面的技術(shù)革新，閃存的成本也隨著技術(shù)迭代和大規(guī)模的應(yīng)用，開(kāi)始變得有競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)基于閃存存儲(chǔ)的小空間、高性能、強(qiáng)度大的適配性、能夠適用于各種不同的存儲(chǔ)環(huán)境等先天優(yōu)勢(shì)，QLC顆粒的閃存終端會(huì)在未來(lái)成為數(shù)據(jù)中心的主流。

正如同朱海翔所言，從24層到48層到64層到96層的3D NAND之后到100多層，每隔15個(gè)月我們就實(shí)現(xiàn)一次迭代。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，閃存介質(zhì)的存儲(chǔ)產(chǎn)品替代HDD成為數(shù)據(jù)中心的首選，或?qū)⒊蔀楝F(xiàn)實(shí)。

然而，在QLC諸多優(yōu)勢(shì)的背后，其每單元需要承受16個(gè)電平的通電斷電，其寫(xiě)入壽命以及由此帶來(lái)的存儲(chǔ)可靠性，成為了整個(gè)行業(yè)都不可忽視的挑戰(zhàn)。

除了寫(xiě)入壽命，隨著3D層數(shù)增加、die也將不可避免的增加，同時(shí)封裝的增大，帶來(lái)的功耗、發(fā)熱等問(wèn)題，也將成為另一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。

關(guān)鍵詞：限制,主流,攔路虎

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