盤點英特爾 QLC 3D NAND 固態(tài)盤背后的黑科技

時間：2022-04-20 20:48:01 | 來源：行業(yè)動態(tài)

時間：2022-04-20 20:48:01 來源：行業(yè)動態(tài)

為進一步解析在諸多方面具備明顯性能優(yōu)勢的QLC 3D NAND固態(tài)盤，英特爾技術專家對其背后隱藏的黑科技進行了深入解讀。



從性能和耐久性倆方面來看，QLC（每個Cell單元存儲4b數(shù)據(jù)）比TLC（每個Cell單元存儲3b數(shù)據(jù)）成本低、容量大，但壽命短。每Cell單元存儲數(shù)據(jù)越多，單位面積容量就越高，但QLC擁有16個電壓狀態(tài)相對于TLC的8個電壓狀態(tài)來說控制更難，導致顆粒穩(wěn)定性差、壽命低。英特爾垂直浮柵閃存單元，基于成熟的單元技術，強大的電荷損失保護功能，以確保高可靠性，同時浮動柵極 NAND 提供更高的數(shù)據(jù)保留率。



因此在壽命，也就是耐久性方面，英特爾 QLC 3D NAND 固態(tài)盤的耐久性比其它 QLC NAND 固態(tài)盤高4倍；同時在性能方面，又保持了和 TLC NAND 固態(tài)盤相當?shù)?PCIe 4.0 讀取帶寬，和幾近一致的時延以及服務質量。這樣，基于業(yè)內領先的耐久性，再結合QLC大容量特征就讓英特爾QLC 3D NAND 固態(tài)盤具備了滿足各種真實使用場景的可靠性、性能等需求。



以英特爾固態(tài)盤 D5-P5316為例，U.2 15mm外觀的存儲容量達到15.36TB ，E1.L外形的存儲容量高達 30.72TB。 4K 隨機讀取高達80萬IOPS， 7 GB/s讀取優(yōu)化的高性能實現(xiàn)了對PCIe 4.0 接口的飽和利用，對比前一代 QLC 固態(tài)盤時延縮減48 % ，以及4倍以上的耐久性。這些特征能夠實現(xiàn)客戶能在溫存儲中進行大規(guī)模部署，為每臺服務器提高更高的帶寬可以加快訪問 CDN、超融合基礎設施、大數(shù)據(jù)、人工智能、高性能計算和云存儲中的大數(shù)據(jù) 集，通過把存儲占用的空間減少最多 20 倍而降低TCO。



而從質量和成熟度來看，自2017年就開始量產(chǎn)，英特爾QLC 3D NAND固態(tài)盤的成熟度已經(jīng)得到市場認可，目前第三代QLC NAND在很多細分市場越來越普及。而且，它不僅符合所有JEDEC規(guī)范，在UBER、實際環(huán)境中的AFR和環(huán)境條件中優(yōu)于硬盤，而且具備與TLC相同的ASIC，簡化了資質認證。



基于此，筆者認為，至少未來五年，基于英特爾3D NAND的固態(tài)盤，將成為企業(yè)海量數(shù)據(jù)存儲的重要選擇，再隨著技術的不斷迭代，相信QLC 3D NAND 固態(tài)盤的大容量、高性能等特質，結合AI、大數(shù)據(jù)、5G等技術能夠為IT基礎設施帶來更好的體驗，也相信SSD將進一步替代HDD成為企業(yè)存儲的主流介質。