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納米片（簡稱NS）預(yù)計(jì)將在未來全面超越FinFET（簡稱FF）。

時(shí)間：2022-04-22 11:51:01 | 來源：行業(yè)動(dòng)態(tài)

時(shí)間：2022-04-22 11:51:01 來源：行業(yè)動(dòng)態(tài)

少數(shù)新興的晶圓、芯片與晶體管堆棧將提供額外的性能提升空間，進(jìn)而從根本上挑戰(zhàn)傳統(tǒng)的SoC。然而，這些技術(shù)在設(shè)備校準(zhǔn)與冷卻方面也面臨著自己的獨(dú)特挑戰(zhàn)具體來講，此類設(shè)計(jì)也許會(huì)將發(fā)熱量提升至500瓦級(jí)別。

Imec方面還描述了SoC的全面改造方向，也就是有序3D其將對(duì)電源、邏輯以及存儲(chǔ)器電路的不同需求進(jìn)行拆分與優(yōu)化。其中一個(gè)版本將功率傳輸電路放在晶圓背面，減薄至幾百納米，并利用微小的硅通孔進(jìn)行連接。

另一個(gè)更具野心的版本則利用銅接銅鍵將SRAM緩存安放在核心上方的載體晶圓上。最終的有序3D結(jié)構(gòu)將呈現(xiàn)出三明治式設(shè)計(jì)，底部為SRAM陣列，頂部為電源電路，中間則是核心邏輯。其目標(biāo)在于最大限度提升SRAM尺寸，同時(shí)降低制造成本。



關(guān)鍵詞：簡稱,超越,未來

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