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全新閃存增強型磁盤架構(gòu)OptiNAND

時間:2022-04-29 01:03:01 | 來源:行業(yè)動態(tài)

時間:2022-04-29 01:03:01 來源:行業(yè)動態(tài)

Ravi Pendekanti表示:今年9月,我們面向全球發(fā)布了創(chuàng)新的OptiNAND技術(shù)。我們結(jié)合并優(yōu)化了在閃存和HDD領(lǐng)域的積累,通過協(xié)力效應(yīng),對磁盤架構(gòu)設(shè)計作出革新,匯聚二者優(yōu)勢,為客戶帶來開創(chuàng)性的解決方案,幫助客戶應(yīng)對未來的存儲需求。

西部數(shù)據(jù)創(chuàng)新性的將NAND閃存與世界一流的HDD產(chǎn)品進行垂直整合,開發(fā)出用于閃存增強型硬盤的OptiNAND技術(shù)。該技術(shù)集成了iNAND UFS(Universal Flash Storage,通用閃存存儲)、EFD(Embedded Flash Device,嵌入式閃存盤)與旋轉(zhuǎn)型磁碟介質(zhì),并對固件算法和SoC進行了革新。OptiNAND技術(shù)并非一種混合存儲技術(shù),而是一種重塑的磁盤架構(gòu)設(shè)計,它可以將西部數(shù)據(jù)的兩種基礎(chǔ)技術(shù)完美結(jié)合,在容量、性能和可靠性方面獲得提升,形成一種創(chuàng)新且具備成長性的解決方案,為未來提升容量、性能和可靠性奠定基礎(chǔ)。



首先是容量。OptiNAND技術(shù)與西部數(shù)據(jù)三階尋軌定位系統(tǒng)(TSA)技術(shù)結(jié)合,可提高每英寸磁道數(shù)(TPI),從而提升面密度,實現(xiàn)更高的容量??芍貜?fù)偏轉(zhuǎn)(RRO)是位置誤差信號中隨著主軸旋轉(zhuǎn)會重復(fù)出現(xiàn)的部分,RRO元數(shù)據(jù)在工廠的制造過程中產(chǎn)生,前代HDD將這些數(shù)據(jù)存儲在磁碟上,而OptiNAND技術(shù)則將它們存儲在iNAND中,從而為客戶釋放磁盤空間并實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)訪問速度。此外,通過對寫入操作的記錄,可以減少相鄰磁道干擾(ATI)。

其次是性能。OptiNAND加入相對更高性價比的非易失性iNAND,優(yōu)化固件并增強性能。此外,通過西部數(shù)據(jù)的專有固件優(yōu)化,主要是減少來自相鄰磁道干擾的刷新,并減少開啟寫緩存模式下數(shù)據(jù)刷寫的需求等,磁盤延遲也得到了改善。

最后是可靠性。在發(fā)生緊急斷電 (EPO)的情況時,相較于將數(shù)據(jù)刷寫到DRAM的前代HDD,OptiNAND技術(shù)可以安全地將約50倍的用戶數(shù)據(jù)刷寫至iNAND并保留。與此同時,OptiNAND技術(shù)還將能量輔助垂直磁記錄(ePMR)的應(yīng)用范圍繼續(xù)延伸至未來數(shù)代HDD產(chǎn)品,使用戶能夠持續(xù)受益于這一記錄技術(shù)。



西部數(shù)據(jù)的OptiNAND技術(shù)已經(jīng)突破了存儲的傳統(tǒng)界限,為西部數(shù)據(jù)的EAMR、TSA和HelioSeal等行業(yè)首創(chuàng)技術(shù)再添一筆,使全球用戶能夠自如應(yīng)對當前現(xiàn)象級的數(shù)據(jù)增長。

西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國區(qū)業(yè)務(wù)總經(jīng)理劉鋼分享了OptiNAND技術(shù)的最近進展目前,西部數(shù)據(jù)已開始批量出貨搭載了OptiNAND技術(shù)、單碟容量高達2.2TB的20TB ePMR HDDUltrastar DC HC560。截至目前,已成功部署超過100艾字節(jié)(EB)的ePMR HDD。



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