超越二進(jìn)制：美光率先在內(nèi)存中應(yīng)用 PAM4，樹立行業(yè)新標(biāo)桿
時(shí)間：2022-05-01 02:12:01 | 來(lái)源：行業(yè)動(dòng)態(tài)
時(shí)間：2022-05-01 02:12:01 來(lái)源：行業(yè)動(dòng)態(tài)
美光通過(guò)應(yīng)用創(chuàng)新的信號(hào)傳輸技術(shù)四電平脈沖幅度調(diào)制（PAM4），變革內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸方式，實(shí)現(xiàn)了 GDDR6X 的突破性帶寬。自 2006 年起，美光工程師和研究人員已開始探索在內(nèi)存接口應(yīng)用多級(jí)信號(hào)技術(shù)。在申請(qǐng)了 45 項(xiàng)專利后，美光率先在內(nèi)存中應(yīng)用 PAM4，為下一代圖形內(nèi)存樹立了新標(biāo)桿。
GDDR6X 采用 PAM4 多級(jí)信號(hào)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸，輸入/輸出 (I/O) 數(shù)據(jù)速率提升了一倍。此前，顯存帶寬最高可達(dá) 64 GB/s，傳統(tǒng)二進(jìn)制標(biāo)準(zhǔn)依賴兩級(jí)信號(hào)傳輸編碼為 1s 或 0s 的數(shù)據(jù)，每周期可傳輸一位數(shù)據(jù)。而美光新型的 PAM4 技術(shù)采用四個(gè)不同層級(jí)，同時(shí)向內(nèi)存輸入及輸出兩位數(shù)據(jù)。由此，美光的 GDDR6X 將單顆粒的內(nèi)存帶寬顯著提升至 84 GB/s，從而使系統(tǒng)帶寬提升為之前無(wú)法想象的 1 TB/s。
美光的 GDDR6X 還是唯一一款已設(shè)計(jì)應(yīng)用并量產(chǎn)的采用 PAM4 的內(nèi)存芯片，將先進(jìn)的 I/O 研究成果推向了市場(chǎng)。通過(guò)更為簡(jiǎn)潔的板間設(shè)計(jì)和封裝方案，美光的顯存專家將 GDDR6X 打造為市場(chǎng)現(xiàn)有高帶寬解決方案中使用和制造便捷性都更高的一款產(chǎn)品。顯而易見，GDDR6X 實(shí)現(xiàn)了單個(gè)通道的雙倍數(shù)據(jù)速率，但所需運(yùn)行頻率并未翻倍，從而為游戲玩家打造流暢、實(shí)時(shí)的體驗(yàn)。
此外，GDDR6X 相較前代產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了更低的單任務(wù)能耗 (pJ/bit)，通過(guò)更快的速度和更低的功耗，滿足游戲和其他高帶寬圖形應(yīng)用等高能耗工作負(fù)載。GDDR6X 還具有調(diào)整功耗高低的功能用戶可調(diào)低性能節(jié)省能耗。
關(guān)鍵詞：樹立,行業(yè),標(biāo)桿
在線咨詢