東微半導：專注底層結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，有望成長為國產(chǎn)高性能功率半導體領(lǐng)航者

時間：2023-05-09 06:45:01 | 來源：網(wǎng)站運營

時間：2023-05-09 06:45:01 來源：網(wǎng)站運營

東微半導：專注底層結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，有望成長為國產(chǎn)高性能功率半導體領(lǐng)航者：集微網(wǎng)報道，4月21日及4月27日，東微半導先后發(fā)布2021年年度報告以及2022年第一季度業(yè)績報告。報告顯示，公司長期受益于功率半導體功率器件領(lǐng)域的高景氣，下游需求旺盛，2021年公司實現(xiàn)營業(yè)收入7.82億元，同比增長153.28%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約1.47億元，同比增長430.66%；歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤1.41億元，同比增長588.67%；綜合毛利率28.72%，同比增長10.87%；基本每股收益2.91元，同比增長385%。


今年第一季度，東微半導經(jīng)營業(yè)績持續(xù)高速增長，實現(xiàn)營業(yè)收入2.06億元，同比增長45.50%；歸屬于上市公司股東的凈利潤4774.33萬元，同比增長129.98%；歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤4709.94萬元，同比增長128.96%，主要系得益于公司工業(yè)及汽車級應用領(lǐng)域產(chǎn)品營收占比持續(xù)提高、大功率產(chǎn)品比重持續(xù)增加等因素，進一步提高了產(chǎn)品平均售價，使得第一季度銷售規(guī)模持續(xù)擴大的同時毛利率進一步增長至32.93%，環(huán)比增長3.95個百分點。







公開資料顯示，東微半導專注于高性能功率器件，產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應用領(lǐng)域。公司憑借優(yōu)秀的半導體器件結(jié)構(gòu)底層創(chuàng)新與工藝創(chuàng)新能力，集中優(yōu)勢資源聚焦高性能高可靠性功率半導體器件的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗的高性能功率器件設計公司之一，并在應用于工業(yè)級領(lǐng)域的高壓超級結(jié)、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國產(chǎn)化替代。今年2月公司成功登陸杭州證券交易所科創(chuàng)板并交出了首份亮眼業(yè)績，從其財報披露的技術(shù)研發(fā)和部分產(chǎn)品批量供貨的業(yè)務進展來看，東微半導在技術(shù)難度高、國產(chǎn)化率低的高性能功率半導體器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了多項創(chuàng)新技術(shù)的突破，正在躍升為國內(nèi)功率半導體器件第一梯隊廠商的行列。

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)組合優(yōu)化、IGBT持續(xù)放量，營收質(zhì)量快速提升

東微半導主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級結(jié)MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET，以及Tri-gate IGBT系列公司主營產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車充電樁、新能源車車載充電機、通信電源、光伏逆變器、數(shù)據(jù)中心服務器電源、快速充電器等高速成長市場領(lǐng)域，其中2021年工業(yè)和汽車級應用領(lǐng)域營收占比逾60%。

公司年報中重點披露了東微半導原創(chuàng)的Tri-gate IGBT（TGBT）技術(shù)進展，其650V、1200V及1350V產(chǎn)品已于2021年第一季度進入小批量量產(chǎn)階段，第二季度實現(xiàn)批量供貨并迅速放量，實現(xiàn)對多個頭部客戶的第四代至第七代傳統(tǒng)IGBT產(chǎn)品的替代。根據(jù)公司年度報告數(shù)據(jù)顯示：Tri-gate IGBT產(chǎn)品全年實現(xiàn)營業(yè)收入568.17萬元，而上半年銷售額僅為22.95萬元，增速迅猛。TGBT產(chǎn)品具備高功率密度、開關(guān)損耗低、可靠性高、自保護等特點。在2022年有望在各高性能應用領(lǐng)域的迎來爆發(fā)性增長，成為公司新的王牌產(chǎn)品。

公司年度報告數(shù)據(jù)顯示：2021年度，高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品實現(xiàn)營業(yè)收入約5.7億，同比增長128.27%；中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品實現(xiàn)營業(yè)收入約2.06億，同比增長246.85%；超級硅MOSFET產(chǎn)品實現(xiàn)營業(yè)收入較2020年同期增長432.63%；

營收占比最大的高壓超級結(jié)MOSFET是東微半導目前的主力產(chǎn)品系列，該細分市場長期以來主要被進口廠商占據(jù)，國內(nèi)高性能高壓超級結(jié)MOSFET功率器件市場占比較小。在此情況下，東微半導自成立以來積極投入對高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品的研發(fā)，并始終以工業(yè)和汽車級應用為目標，迄今為止已大批量供貨給華為、比亞迪、特銳德、通用電氣、視源股份、英飛源、英可瑞、高斯寶、金升陽、雷能、美的、創(chuàng)維、康佳等全球知名客戶的認可，成為國內(nèi)超級結(jié)MOSFET主要供應商，取得了良好的市場口碑和影響力。

在5G基站持續(xù)建設及新能源汽車相關(guān)需求放量的推動下，對超級結(jié)MOSFET的需求持續(xù)將高速增長，目前國產(chǎn)化率仍然較低，成長空間巨大。2021年東微半導體在持續(xù)提升第三代GreenMOS高壓超級結(jié)技術(shù)平臺產(chǎn)品性能的基礎上，進一步擴展產(chǎn)品規(guī)格，大量進入車載應用領(lǐng)域，在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)10倍以上的增長。第四代GreenMOS高壓超級結(jié)技術(shù)已研發(fā)成功，預計將于今年開始批量供貨；基于12英寸先進工藝制程的高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)進入大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)并進入大量工業(yè)應用領(lǐng)域，基于12英寸工藝制程的下一代超級結(jié)MOSFET技術(shù)開發(fā)進展順利；1000V以上高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)工程開發(fā)成功，具備量產(chǎn)能力。

產(chǎn)品規(guī)格不斷豐富大大提升了東微半導體的競爭力，并借此進一步拓寬了市場空間。新能源汽車直流充電樁和車載充電機作為東微半導體的主要細分市場，2021年向國內(nèi)各主要的直流充電樁電源模塊廠商，以及車載充電機設計制造廠商持續(xù)批量出貨，終端客戶群覆蓋多個國內(nèi)外知名新能源汽車品牌。通訊電源和基站電源是高壓超級結(jié)MOSFET的另一大主要應用領(lǐng)域，在去年實現(xiàn)了多個重要客戶的供貨增長并增加新的設計規(guī)格，進入客戶全球技術(shù)平臺。此外，在光伏逆變器和儲能應用中，大批量進入多個國內(nèi)頭部客戶。

隨著主營產(chǎn)品業(yè)務的穩(wěn)健增長，新型功率器件TGBT將成為公司下一波成長主力，伴隨公司大量工業(yè)及車規(guī)級高質(zhì)量頭部客戶群體不斷導入，東微半導的產(chǎn)品和收入結(jié)構(gòu)得到顯著優(yōu)化，有力推動了公司的產(chǎn)品單價及毛利率的持續(xù)提升，為公司2022年持續(xù)高速成長提供重要支撐。

持續(xù)加大研發(fā)投入、專注器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，穩(wěn)步邁入國內(nèi)第一梯隊

產(chǎn)品組合的不斷豐富得益于東微半導持續(xù)加強研發(fā)投入特別是先進產(chǎn)品的研發(fā)。年報顯示2021年公司的研發(fā)投入同比增長了159.07%，持續(xù)推進上述產(chǎn)品平臺的技術(shù)迭代和升級，優(yōu)化8英寸與12英寸芯片代工平臺的產(chǎn)品布局，在研發(fā)人員數(shù)量、專利數(shù)量、新品開發(fā)數(shù)量上均實現(xiàn)了快速增長。截止2021年底產(chǎn)品規(guī)格型號超過1790余款，其中高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品(包括超級硅MOSFET) 1100 款，中低壓SGT產(chǎn)品641款，IGBT產(chǎn)品52款。東微半導持續(xù)專注底層器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新，已授權(quán)專利中，結(jié)構(gòu)創(chuàng)新的專利占比超過80%。







完整的研發(fā)團隊及體系與持續(xù)的研發(fā)投入使得東微半導體成為功率器件領(lǐng)域產(chǎn)品性能領(lǐng)先的本土企業(yè)之一，在高端工業(yè)級功率器件領(lǐng)域的技術(shù)能力與產(chǎn)品性能已可與國際一流廠商比肩，技術(shù)領(lǐng)域已邁入國內(nèi)第一梯隊。憑借優(yōu)秀的研發(fā)實力，公司在8英寸制程700V及以 GreenMOS高壓的超級結(jié)芯片、12英寸先進工藝GreenMOS超級結(jié)MOSFET、超級硅功率器件、TGBT等主要產(chǎn)品方面均已具備了國內(nèi)領(lǐng)先甚至國際領(lǐng)先的核心技術(shù)，并在眾多高端應用領(lǐng)域替換國外產(chǎn)品，實現(xiàn)高端應用的國產(chǎn)化。其中，第一代650V TGBT電流密度已達到國際主流第七代IGBT的技術(shù)水平，消除了多年以來國產(chǎn)IGBT與進口IGBT芯片之間的技術(shù)代差。

加快布局第三代半導體功率器件

除加碼當前炙手可熱的IGBT技術(shù)外，東微半導同時也在加快第三代半導體功率器件的布局，并于2021年7月立項了第三代半導體SiC功率器件自主研發(fā)項目，主要針對以SiC的為襯底的第三代半導體材料功率器件進行研發(fā)，實現(xiàn)高性能功率器件技術(shù)的全覆蓋。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2019年應用在新能源汽車的SiC器件市場規(guī)模為2.25億美元，預計到2025年將增長至15.53億美元，復合增長率達38%。

目前采用公司獨創(chuàng)技術(shù)的高性能高可靠性第三代半導體MOSFET器件，已申請多項相關(guān)專利，產(chǎn)品開發(fā)順利進行。此系列產(chǎn)品將與公司的超高速系列TGBT互為補充，對采用傳統(tǒng)技術(shù)路線的SiC MOSFET進行升級替代，預計可應用于新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、直流大功率新能源汽車充電樁、車載充電機、光伏逆變器、儲能逆變、UPS電源等領(lǐng)域。除此之外，公司在氮化鎵領(lǐng)域也已具備一定的技術(shù)積累和經(jīng)驗，正積極關(guān)注和探索相關(guān)產(chǎn)品及其應用。

持續(xù)穩(wěn)定供應商關(guān)系、保證產(chǎn)能供給，強化高質(zhì)量客戶群體

2021年隨著下游需求持續(xù)增長以及上游原材料供應緊張，全球晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)緊張，進一步導致了代工價格的增長。為此，東微半導與華虹半導體等多個國內(nèi)外代工廠繼續(xù)保持穩(wěn)定的業(yè)務和技術(shù)合作關(guān)系，隨著各家代工廠擴產(chǎn)，憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品和技術(shù)提升產(chǎn)能價值，公司有望持續(xù)獲得更多產(chǎn)能支持。在此基礎上，公司還與代工合作伙伴共同規(guī)劃產(chǎn)能、定義技術(shù)路線，實現(xiàn)更深度的合作，保障公司的新產(chǎn)品研發(fā)有序推進以及產(chǎn)品供應能力穩(wěn)步增長。

由于功率半導體器件，尤其是高性能產(chǎn)品的開發(fā)需要器件設計與工藝平臺深度結(jié)合，研發(fā)團隊需對晶圓廠的基準工藝平臺進行深度優(yōu)化和定制設計。因此東微半導在產(chǎn)品研發(fā)階段就與代工廠進行深度的討論，通過反復工藝調(diào)試以更好地實現(xiàn)芯片性能和經(jīng)優(yōu)化的產(chǎn)品。同時也持續(xù)關(guān)注并協(xié)助開發(fā)創(chuàng)新工藝流程，根據(jù)合作伙伴的制造能力進行深度定制化開發(fā)適配的工藝和產(chǎn)品，使雙方實現(xiàn)合作共贏。

憑借優(yōu)異的技術(shù)創(chuàng)新實力、產(chǎn)業(yè)鏈深度整合能力和終端客戶定制化開發(fā)能力，東微半導已經(jīng)與國內(nèi)外各行業(yè)的龍頭客戶建立了長期的合作關(guān)系。在各類功率器件應用領(lǐng)域尤其是工業(yè)級、車規(guī)級應用領(lǐng)域獲得了眾多知名企業(yè)的認可，成為了該等客戶的少數(shù)國內(nèi)供應商之一。公司與頭部客戶保持深度技術(shù)合作，有利于指引其新產(chǎn)品定義和技術(shù)方向，能夠持續(xù)為公司帶來高粘性，同時也將推動公司不斷進行技術(shù)迭代升級以滿足引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的頭部客戶需求，為公司保持高端功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位奠定基礎。

結(jié)語

在全球碳中和、碳達峰的時代背景下，新能源汽車、光伏逆變器、儲能應用、5G通信、數(shù)據(jù)中心服務器等領(lǐng)域?qū)τ诟咝阅芄β拾雽w器件的需求將迎來爆發(fā)式增長。公司在技術(shù)儲備，產(chǎn)品定位，應用領(lǐng)域和客戶群方面都處在極佳的競爭優(yōu)勢地位，預計將充分受益于上述領(lǐng)域的長期高速發(fā)展。

正如公司所定位的堅持做難做的事情并通過底層創(chuàng)新實現(xiàn)技術(shù)的超越，正是這個時代中國所需要的企業(yè)精神，祝愿東微半導始終堅持初心，早日實現(xiàn)技術(shù)的跨越，成就半導體行業(yè)技術(shù)領(lǐng)軍者的目標。