全閃存（All-flash）存儲(chǔ)池
時(shí)間：2022-04-15 20:57:01 | 來源：行業(yè)動(dòng)態(tài)
時(shí)間：2022-04-15 20:57:01 來源：行業(yè)動(dòng)態(tài)
針對(duì)小延遲或?qū)π阅苡刑厥庖蟮臉I(yè)務(wù)和應(yīng)用，道熵分布式存儲(chǔ)支持全閃存存儲(chǔ)池，用戶的業(yè)務(wù)可以在閃存優(yōu)化存儲(chǔ)池與全閃存存儲(chǔ)池之間實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)遷移。
SSD的單位容量成本是HDD的5-10倍之間，且由于其存儲(chǔ)介質(zhì)NAND Flash僅有有限的擦除與重寫次數(shù)，導(dǎo)致SSD有限的寫壽命。為了降低SSD的單位使用成本，并延長其使用壽命，道熵分布式存儲(chǔ)在全閃存存儲(chǔ)池，采取了基于16KB或32KB數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)去重技術(shù)，在提升有效存儲(chǔ)使用效率的同時(shí)，通過減少重復(fù)數(shù)據(jù)的寫入，延長了SSD的寫壽命。在數(shù)據(jù)去重基礎(chǔ)上，還采取了對(duì)CPU消耗極低的LZ4高速壓縮算法，進(jìn)一步提升存儲(chǔ)使用效率和SSD寫使用壽命。在典型的虛擬化應(yīng)用場(chǎng)景中，數(shù)據(jù)去重和數(shù)據(jù)壓縮可產(chǎn)生的數(shù)據(jù)壓縮比在5：1左右，相當(dāng)于將存儲(chǔ)使用效率和SSD寫壽命提升了5倍。
道熵分布式存儲(chǔ)采用雙重RAID架構(gòu)，即節(jié)點(diǎn)內(nèi)RAID與節(jié)點(diǎn)間副本的雙重?cái)?shù)據(jù)保護(hù)；每個(gè)節(jié)點(diǎn)具有數(shù)據(jù)完整性校驗(yàn)和數(shù)據(jù)自修復(fù)能力，并采用隨機(jī)寫轉(zhuǎn)換為順序?qū)?、二?jí)DRAM/Flash自適應(yīng)緩存技術(shù)，大幅度降低物理磁盤的工作負(fù)載，具有極強(qiáng)的穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)安全性。其中，隨機(jī)寫轉(zhuǎn)換為順序?qū)憴C(jī)制，不僅可提升系統(tǒng)IO性能，還可同時(shí)降低Flash的寫磨損，延長SSD寫使用壽命。數(shù)據(jù)去重、數(shù)據(jù)壓縮、和隨機(jī)寫轉(zhuǎn)換為順序?qū)憴C(jī)制，使得市場(chǎng)上價(jià)格低廉的桌面級(jí)SSD具有同企業(yè)級(jí)SSD相似的性能和寫壽命。
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