英特爾3D NAND 固態(tài)盤：為高密度和高可靠性而設計
時間：2022-04-20 20:48:01 | 來源：行業(yè)動態(tài)
時間：2022-04-20 20:48:01 來源：行業(yè)動態(tài)
未來，基于3D NAND 技術的固態(tài)盤，將是重點產(chǎn)品和技術發(fā)展方向。英特爾NAND產(chǎn)品與解決方案事業(yè)部中國區(qū)銷售總監(jiān)倪錦峰表示高密度和高可靠性將是未來幾年英特爾 3D NAND 固態(tài)盤的設計方向。
此外，英特爾技術專家還分享了英特爾3D NAND技術的優(yōu)勢。首先，在技術方面，英特爾是閃存單元技術的領導者，在閃存單元演進和擴展方面擁有逾30年的經(jīng)驗。作為第一家為數(shù)據(jù)中心和客戶端出貨 QLC PCIe 固態(tài)盤的公司，英特爾是業(yè)界第一個推出3D 64層 TLC 固態(tài)盤的廠商，并且也是在業(yè)內第一個推出64層QLC的廠商。
其次，在降低成本方面，英特爾采用陣列架構下的浮柵 CMOS的創(chuàng)新技術，該技術可將每單元容量提高，使QLC NAND 技術的每單元位數(shù)比 TLC NAND 提高 33%，從而實現(xiàn)更高的面密度，進而帶來更好的經(jīng)濟效益。
同時，英特爾還基于垂直浮柵單元實現(xiàn)了高可靠性設計， 從64 層 TLC到 144 層 QLC，高度可靠的單元設計使耐久性實現(xiàn)代際提升。在數(shù)據(jù)保留方面，浮動柵極 NAND 單元優(yōu)于電荷擷取，浮動柵極 NAND 提供更高的數(shù)據(jù)保留率。
基于3D NAND 技術，2021 年英特爾還推出數(shù)款數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品，其中包括已經(jīng)發(fā)布的144層 TLC的英特爾固態(tài)盤 D7-P5510、144層 QLC的英特爾固態(tài)盤 D5-P5316，以及即將發(fā)售的144層TLC的英特爾固態(tài)盤 D3-S4520 和 D3-S4620。
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